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1：表面有少许污渍、线痕、凹痕，单晶硅片回收地址，轻微崩边。

2： 220±30μm ≤tv≤220±40μm。

3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30μm。  

4：崩边范围：崩边口不是三角形状，单晶硅片回收厂址，崩边口长度≤1mm，---≤0.5mm

同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。

垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5。    

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